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PDF版11从电路设计到芯片完成离不开集成电路的制备工艺，本章主要介绍硅衬底上的CMOS集成电路制造的工艺过程。有些CMOS集成电路涉及到高压MOS器件（例如平板显示驱动芯片、智能功率CMOS集成电路等），因此高低压电路的兼容性就显得十分重要，在本章最后将重点说明高低压兼容的CMOS工艺流程。1.1基本的制备工艺过程CMOS集成电路的制备工艺是一个非常复杂而又精密的过程，它由若干单项制备工艺组合而成。下面将分别简要介绍这些单项制备工艺。1.1.1衬底材料的制备任何集成电路的制造都离不开衬底材料——单晶硅。制备单晶硅有两种方法：悬浮区熔法和直拉法，这两种方法制成的单晶硅具有不同的性质和不同的集成电路用途。1悬浮区熔法悬浮区熔法是在20世纪50年代提出并很快被应用到晶体制备技术中。在悬浮区熔法中，使圆柱形硅棒固定于垂直方向，用高频感应线圈在氩气气氛中加热，使棒的底部和在其下部靠近的同轴固定的单， 名称：CMOS集成电路制造工艺，我们己经对CMOS集成电路制造工艺进行杀毒，以保证您的安全下载CMOS集成电路制造工艺，下载的压缩文件如果需要密码那就是 http://www.dxs56.com，CMOS集成电路制造工艺的文件大小为681 KB。